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日本半導體業在全球的市場份額不斷下降。據最近公布的2005年全球半導體業市場份額，日本半導體廠商合計僅占20%左右，對比上世紀80年代占有世界市場50%以上份額的盛況，已不可同日而語。
產業根基不斷下沉
日本半導體產業的根基正在不斷下沉，其實早在2002年，日本最大的半導體廠商東芝公司就被韓國三星公司超過，降為世界第三位其他日本半導體廠商在世界市場上的排名也連年持續走低，三菱電機和富士通公司當年已被擠出了全球十大半導體廠商排行榜。
2001和2002兩個財政年度，日本五大半導體廠商東芝、NEC、日立、三菱電機和富士通等公司，累計虧損高達138億美元。而當時全球半導體業排名首位和第二位的英特爾和三星公司卻獲得大致相同的贏利。
據美國iSuppli公司的最新統計，2005年全球半導體市場比2004年增長200多億美元，總額為2370億美元。然而日本大型半導體廠商包括NEC電子公司和由日立與三菱電機半導體部門合并組成的瑞薩技術公司，都大幅度地減少了贏利。以NEC電子為例，其2005年的銷售額為57.1億美元，與2004年相比，降低了12.2%，世界排名也降為第10名。而全球主要半導體廠商2005年的平均增長率為4.4%。
另據日本電波新聞2006年1月中旬報道，日本包括半導體器件在內的電子零部件的2005年銷售額，比2004年下降6.2%，為91668億日元。
目前的NEC電子公司是NEC總公司于2002年在其半導體部門基礎上成立的。為了集中力量生產供應日本家用電器廠商的核心部件專用集成電路，在成立NEC電子公司時，已將虧損的存儲器生產部門從NEC剝離，以便使其擺脫赤字的局面。
然而人算不如天算。隨著競爭加劇，數字家電的利潤率不斷降低，在市場壓力下，日本家用電器產品的市場主要集中到日本國內。在出口不能大幅度增長的情況下，NEC電子生產的家電專用集成電路的贏利額并不高。雪上加霜的是，由于家電市場變化快，顧客要求高，因而許多專用集成電路需要特別設計。由于產品更新快，相應地在設計開發費用上投入較大，從而使NEC電子公司半導體器件的利潤額進一步減少。因為傳統上每年第一季度是銷售淡季，可以預計，至2006年3月底結束的本財政年度中，NEC電子將有330億日元的赤字。這將是NEC電子連續第三年銷售額下降。
此外，由日立公司和三菱電機公司合作成立的瑞薩技術公司，預計本財年的利潤僅為銷售額的1%。作為對比，美國Intel公司2005年的利潤率高達30%。
存儲器業遭遇強敵
日本半導體業的亮點是日本東芝公司，其在全球半導體市場的排名由2004年的第7名，升為2005年的第4名，銷售額為93.6億美元。預計其2005財年的利潤率為10%。對此做出主要貢獻的是用于iPod便攜式音樂播放器等方面的與非型快速擦寫存儲器。日本專門生產存儲器的Elpida公司本來應該有一定贏利，然而2005年該公司投資2000億日元，建設300mm硅圓片廠，因此其將會有小額虧損。
盡管上述兩家日本半導體廠有一定贏利，但前景不容樂觀。一方面是由于居世界存儲器首位的韓國三星電子公司的強勁競爭。雖然日本Elpida等公司投巨資擴大生產，然而產品份額并沒有顯著的增長。另一方面，日本半導體業的強敵，排名世界第一的美國Intel公司，在大力生產微處理器(CPU)的同時，又揮師進軍高贏利的與非型快速擦寫存儲器市場。日本東芝公司負責半導體生產的常務董事室町正志先生驚呼，日本存儲器市場份額必定會進一步降低。
更為致命的是，日本半導體廠商在全球化上已經落后于人。目前日本半導體廠商的國內銷售比例高達60%至70%，而國外銷售比例則在30%至40%之間。相對而言，全球著名半導體廠商的海外銷售比例則達到70%至80%，因此可以說日本半導體廠商的銷售屬于典型的“窩里橫”。
從企業布局上看，日本半導體廠商在全球化上的缺陷更為嚴重。相對于上世紀80年代，目前其已顯著倒退。當時，日本半導體廠商紛紛在海外建廠，或者建立國外設計基地，但是從上世紀90年代后半期起，由于銷售額下降等原因，通過重組對日本的國外基地進行了整合。一位熟悉國外情況的調查公司分析師指出，“日本撤消國外設計基地的做法是致命的”，原因是日本著名半導體廠商在美國擁有設計基地時，通過進行聯合開發等方式與美國大用戶建立了信任關系，然而隨著重新布局，也同時喪失了這種信任關系，結果美國的半導體大用戶不再向日本廠商訂貨，因而導致日本半導體廠商的國際市場更加萎縮。
謀求振興舉步維艱
進入新世紀后，日本半導體業為追趕美國并與新興的韓國廠商競爭，在日本政府支持下，日本半導體業先后開展了名為“明日”和“
未來”的兩項技術開發計劃。
“明日”是由民間主導，由東芝、富士通等12家日本大型半導體廠聯手投資700億日元，開發65納米線寬的實用的下一代半導體制造工藝。“未來”是以日本產業技術綜合研究所為骨干，聯合24家日本半導體廠商和半導體設備廠商，投資350億日元，共同開發45納米線寬的半導體器件的新材料和新設備等的基礎性技術。其宗旨是以合作的方式，將下一代集成電路技術標準化，從而降低先進技術的開發成本，并以此與世界上其他國家的競爭對手一爭高低。通過實施該合作項目，能為參與合作開發的各公司節約100億至數百億日元的技術研究和開發費用。
然而，由于多個半導體廠商聚集在一起，在確定研究方向上，眾廠商因意見分歧而決策緩慢。因為遲遲不見成果，各半導體廠商紛紛自行開發其65納米線寬的半導體工藝。而對于45納米以下的半導體器件開發，需要廠商每年投入約10億美元的投資。對日本半導體產業非常了解的日本機械振興協會經濟研究所的井上弘高級研究員認為：“僅靠這些半導體廠商，不一定能夠承擔這一重任。”
此外，由于兩個新一代半導體技術開發項目“明日”和“未來”是分別進行的，分散了研究力量而且受制于投入資金不足，致使新一代半導體工藝的研發進展遲緩。
有鑒于此，日本政府的經濟產業省決定，從2004年夏天起，將“明日”項目進行的研究，歸并到“未來”項目之中。在此之后，通過調整科研課題，日本將集中力量研究45納米節點以下的半導體技術和工藝。日本產業技術綜合研究所將在其中起主導作用。
即從2004年夏起，由政府出面領導半導體技術的研究和開發，改變以前由東芝公司和富士通公司等企業主導半導體研究的局面。并通過合并上述兩個計劃的重復項目，從而集中開發力量，減少不必要的投資，加速研發進程。目的是及時開發面向數字家電等方面的高性能半導體器件，重新確立日本半導體業在世界的領先地位。
然而，隨著半導體工藝技術的快速演進，設備投資和研發經費的負擔日益沉重，日本半導體企業中能堅持長期投入大量資金和科研力
量的并不多，振興日本半導體業的奮斗舉步維艱。日本政府一直希望日本半導體廠商通過上述技術開發計劃，盡快實現10%的利潤率，但
是只有一兩家日本半導體廠商能實現這個目標。
日本政府近來根據最新的信息技術發展計劃即U-Japan計劃，開始啟動了新一輪的半導體技術研發。被稱為SELETE(Semiconductor
Leading Edge Technologies，即半導體尖端技術)的開發項目，每年將投資100億日元，以研究和開發45納米和32納米節點的實用制造工藝為主。該項目是以東芝、NEC電子、瑞薩和富士通四家公司為中心，帶領其他廠商共同從事研發。內容包括前工序和后工序以及供實用的金屬柵/高介電率材料和多孔低介電率絕緣材料，此外還有用于45納米和32納米節點半導體設備的EUV光刻技術和掩膜工藝。被稱為STARC(Semiconductor Technology Academic ResearchCenter，即半導體技術學術研究中心)的項目，每年投資預算50億日元，以新型器件的設計為主，其中包括用于研制器件的設計平臺。
應該指出的是，日本這種形式的半導體開發，是將基礎性研究和實際制造工藝開發分開進行。與世界其他半導體廠商相比較，這種“兩張皮”的做法將很難保證開發出的研究成果能夠及時地轉化為實用工藝。
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- [責任編輯：editor]
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