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中國鐵合金網訊：半導體材料瓶頸可望突破!臺灣科技部近日宣布，臺灣、日本、沙烏地阿拉伯等團隊，已研究出單層二硫化鉬P-N接面，可望取代硅晶片成為新世代半導體核心元件，廣泛應用在可穿戴設備及手機中。

這是全球第1個發表新世代半導體材料基礎研究成果，不但將刊登在最新一期國際期刊《SCIENCE》中，交大研究團隊透露，這項結果可望吸引臺積電更積極合作研究，以早日搶占全球市場商機。

在科技部大力支持“尖端晶體材料開發及制作計劃”科技預算下，半導體材料瓶頸有了重大突破。臺灣研究團隊計劃主持人交大電子物理系教授張文豪指出，英特爾及三星均積極投入單層元件材料研究，臺積電也積極與學界接洽合作，未來誰能搶先開發單層元件材料，就能在全球市場占有一席之地。

張文豪說，單層二硫化鉬是全球科學家認為新世代半導體頗有潛力的材料，這次研究團隊發展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面，可望解決半導體元件制備關鍵問題。未來可廣泛應用于極度微小化的電子元件，尤其單層二硫化鉬具有極輕薄透明特性，有潛力應用在未來低耗能軟性電子與穿戴式電子元件，或手機應用中。

臺灣科技部指出，二硫化鉬是繼石墨烯后，備受國際科學家關注層狀材料，單層二硫化鉬具有良好發光效率，極佳電子遷移率(可快速反應)與高開關比(電晶體較穩定)，可用于未來新型低耗能邏輯電路，極有可能取代目前硅晶做下世代主要核心元件。國際半導體大廠如Intel、臺積電及三星等，最小元件技術約落在7～10納米間，而這項研究成果為二硫化鉬及相關無機二維材料電子學研究及應用，將有助二硫化鉬等材料應用在2納米半導體工藝技術中。

• [責任編輯：Zhang Xing]