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投資逾60億元的宜昌多晶硅材料及太陽能電池產業項目將于下月開工建設，湖北省信息產業廳請來中科院梁駿吾和聞立時等9位院士專家參加規劃論證會，為多晶硅產業鏈發展規劃支招。
5月23日，南玻發布公告稱，公司擬分期投資建設4500-5000噸多晶硅材料項目。項目一期工程擬投資1.5億美元，建設年產1500噸高純多晶硅生產基地，其中包括太陽能級和電子級高純多晶硅材料及太陽能硅片等產品，廠址選定為湖北省宜昌經濟技術開發區，建設周期約18個月。對于此舉，業內人士大多持保留意見，而硅業在線分析，南玻投資多晶硅的前景光明，但是要看是否能夠挺住沖擊。
目前行業內普遍存在的問題一是技術，另一個就是工廠投產后的需求。
多晶硅技術壟斷在國際七大廠商手中，對技術采取封鎖，國內普遍所采取的提煉高純硅的方法為改良西門子反應法，技術基本上從俄羅斯引進。有人認為俄羅斯本身的技術工藝比西方國家差了很多，屬于二流工藝，出口到中國的技術只怕屬于三流，峨眉半導體、新光和中硅等廠經過多年發展仍然沒有收到好的效果。而且耗能，污染一直得不到良好控制。
目前，全球尤其是中國光伏產業存在嚴重缺硅的問題，多晶硅價格一直居高不下，甚至被炒到一個瘋狂的價位。受到資本的驅使，國內項目紛紛上馬，據硅業在線統計，08年第三季度這些廠家產能全部釋放，總產量將超過1.2萬噸。全球各大廠商也在不斷擴大生產，德國瓦克公司計劃將產能提升到14500噸/年，而全球最大的多晶硅生產廠商HEMLOCK也計劃將產能提高50%，在2010年達到19000噸/年。全球最大的多晶硅上游供應商之一Elkem Solar和全球最大的太陽能光伏產品生產商之一BP太陽能均斷言，根據目前國際上各大企業的擴產計劃，到2008年多晶硅供應就將不再短缺。而中國電子材料協會人士認為，市場對多晶硅的需求存在泡沫。國內現在更多地是一個炒作，多晶硅出廠的價格并沒有像市場上炒的那么高。同時硅業在線也注意到，下游廠家在采購同時也不再一味盲目，而是以較為理性的眼光來看待。
在政策上，國家的扶持力度不是很夠，而全靠消費者本身的購買力，推廣是個大問題。有人對外宣稱太陽能已經深入農村千家萬戶，這純粹是空談和炒作行為。一套最基本的太陽能熱水熱水設備在千元左右，即使對于逐漸富裕起來的農村來說價格還可以接受，但是冬天洗澡需要在室內，而農村有多少家庭擁有浴室？至于光電設備就目前來說更是空談。
不過，南玻的優勢也是相當明顯的。
對于俄羅斯的技術，南玻曾數次派人去俄羅斯對采用該技術的多晶硅廠商進行過實地調研。而且，在和俄羅斯方面就引進技術談判的時候，南玻是按照半導體級的標準要求的。這樣即使產品不達標，但保證太陽能級多晶硅的生產成問題，而且公司很早之前就在籌建多晶硅項目，目前國內緊缺的技術人才已經陸續到位，學習，吸收并改進技術比較快。
而對于08年產能過剩的問題，硅業在線認為，這同時也存在著一個炒作的問題。實際上，08年國內的產量不會超過一萬噸。而且南玻實力雄厚，在建設過程中不存在資金不足的問題。南玻的目標是打造多晶硅產業鏈，產供銷一條龍，這次梁駿吾等專家這次的建議，更有利于打造完整的產業鏈，在銷售方面壓力能延緩一下。而且國內一些城市已經在嘗試推廣太陽能的嘗試，國家也可能會意識到太陽能的重要性，迎頭趕上，我們已經走在別人的后面，現在不要被人家甩得更遠，防止“八國聯軍”再卷土重來。
附：梁駿吾檔案
梁駿吾,中國工程院院士、半導體材料專家,1933年出生于漢口，原籍黃陂前川小西門內。
幼時他先后在漢口和黃陂讀小學。1945年在武漢一中念書，1955年于武漢大學畢業后被選派赴蘇聯科學院冶金研究所讀研究生，攻讀半導體材料專業。1960年獲副博士學位。回國后，進入剛剛成立的中國科學院半導體研究所，投身于半導體研究40余年。這40余年，他在中國半導體材料領域取得一項又一項科研成果.
60年代初，中國科學院將高純硅單晶的制備列為重點。梁駿吾承擔了這一任務。從設計、制作到單晶提純生產工藝，實現了關鍵技術的突破，創造性地解決了國產高頻區熔爐不能長期、穩定、可靠運行的難題，不僅滿足了區熔硅生產的需要，還能滿足其他多種工藝的要求。這一成果被高頻爐生產廠家一直延用至今。用該設備完成了國家重點科研任務，得到了電阻率104Ohm-cm的高純硅單晶，是當時國際上領先技術。
1964年，他負責半導體外延工作，為砷化鎵液相外延作出了開拓性的工作。用這種材料首次在國內研制成功室溫脈沖、相干激光器。
1966年至1969年，他負責156工程集成電路用硅外延材料國家任務，解決了連續生長高摻雜硅外延層、介質sio2層、多晶硅層等的工藝技術，為我國第一代介質隔離集成電路提供了外延材料和設備。
1978年以后，黨中央提出“一定要把大規模集成電路搞上去”。要完成這一任務，首當其沖的是硅單晶質量要上去。梁駿吾在4K和l6K位DRAM研制中，負責硅單晶材料。解決了有害雜質、氧含量、缺陷的控制及后處理等技術，成功地拉制了無位錯、無漩渦、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高質硅單晶材料。這兩項研究分別獲中國科學院1979、1980年重大科技成果獎。
在研究半導體材料中雜質與缺陷相互作用的基礎上，梁駿吾首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了長期困擾生產廠家的硅中位錯運動和繁殖以及電阻率的均勻性等重大技術難題，獲得了機械性能好、電阻率均勻的區熔硅單晶。這一成果在許多材料和器件工廠得到了廣泛的應用，并獲1988年中國科學院科技進步一等獎。
在“七五”和“八五”攻關中，梁駿吾解決了外延中氣體動力學與熱力學耦和計算的問題，為外延爐設計提供了理論依據。完成了新一代微機控制光加熱外延爐。這一成果被鑒定后認為“打破了外商壟斷，國內首創”、“在外延層本底電阻率、過渡區寬、摻雜電阻率、徑向不均勻度等多項參數上均達到國際先進水平”。
1992年，他“突破了我國多年來未能生長低閾值電流密度的量子阱激光器MOCVD材料的局面”，全面完成了863任務—MOCVD AIGaAs/GaAs量子阱超晶格材料任務，為第二代光電材料(超晶格、量子阱)的研制作出了貢獻。
由于梁駿吾在半導體材料研究中碩果累累，先后獲國家級和省部委級科技獎10余次。1985年被評為研究員、博士生導師，1993年被評為“中國科學院優秀導師”，1990年還被評為“國家級有突出貢獻中青年專家”，1997年被遴選為中國工程院院士。現擔任中國科學院半導體研究所研究員，并在多所大學兼任教授。是中國電子學會理事、電子材料分會主任、中國材料學會理事。(硅業在線)
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